English
Spain
Rusia
Italy
GermanySCTWA90N65G2V-4
元器件型号详细信息
原厂型号
SCTWA90N65G2V-4
摘要
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
详情
通孔 N 通道 650 V 119A（Tc） 565W（Tc） HiP247™ 长引线
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
119A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3380 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
565W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
HiP247™ 长引线
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCTWA90
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4
相关文档
规格书
1(SCTWA90N65G2V-4)
EDA 模型
1(SCTWA90N65G2V-4 by Ultra Librarian)
价格
数量: 100
单价: $237.9549
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $278.657
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $302.16
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-