元器件型号详细信息

原厂型号
BSO200P03SNTMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 7.4A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 9.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.56W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-DSO-8
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSO200P03ST
BSO200P03S
BSO200P03SNT
BSO200P03S-ND
BSO200P03SNTMA1TR
SP000014959

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSO200P03SNTMA1

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价格

-

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