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GermanyRJK6002DPD-00#J2
元器件型号详细信息
原厂型号
RJK6002DPD-00#J2
摘要
MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 2A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.8 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
165 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
MP-3A
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
RJK6002
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc RJK6002DPD-00#J2
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规格书
1(RJK6002DPD)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
HTML 规格书
1(RJK6002DPD)
EDA 模型
1(RJK6002DPD-00#J2 by Ultra Librarian)
价格
-
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