English
Spain
Rusia
Italy
GermanyAUIRF1405ZS
元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRF1405ZS
摘要
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 150A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.9 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4780 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001519512
INFIRFAUIRF1405ZS
2156-AUIRF1405ZS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies AUIRF1405ZS
相关文档
规格书
1(AUIRF1405ZL Datasheet)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 2/Feb/2021)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRF1405ZL Datasheet)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN4R6-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似
型号 : STB160N75F3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥45.63000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥45.63000
替代类型. : 类似
型号 : IXFA230N075T2-7
制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥55.57000
替代类型. : 类似
库存 : 50
单价. : ¥55.57000
替代类型. : 类似