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GermanyIRF40DM229
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF40DM229
摘要
MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 159A（Tc） 83W（Tc） DirectFET™ 等距 MF
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
StrongIRFET™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
159A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.85 毫欧 @ 97A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
161 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5317 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DirectFET™ 等距 MF
封装/外壳
DirectFET™ 等距 MF
基本产品编号
IRF40DM229
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001576692
IRF40DM229TR
IRF40DM229CT
IRF40DM229DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF40DM229
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Add 26/Feb/2021)
PCN 封装
1(Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017)
HTML 规格书
1(IRF40DM229)
仿真模型
1(Infineon IRF40DM229-SM-v01_00- EN Saber File)
价格
数量: 1
单价: $19.56
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $19.56
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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替代型号
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