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GermanyFDMD86100
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMD86100
摘要
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
详情
MOSFET - 阵列 100V 10A 2.2W 表面贴装型 8-Power 5x6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
28 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共源
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2060pF @ 50V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-Power 5x6
基本产品编号
FDMD86
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDMD86100CT
FDMD86100TR
FDMD86100DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDMD86100
相关文档
规格书
1(FDMD86100)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
数量: 3000
单价: $18.23167
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $19.19122
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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数量: 500
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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包装: 剪切带（CT）
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最小包装数量: 1
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替代型号
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