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元器件型号详细信息
原厂型号
FAM65HR51DS2
摘要
IGBT MODULE 650V 33A 135W
详情
IGBT 模块 半桥逆变器 650 V 33 A 135 W 通孔
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
-
配置
半桥逆变器
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
33 A
功率 - 最大值
135 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
-
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
4.86 nF @ 400 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
基本产品编号
FAM65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi FAM65HR51DS2
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规格书
1(FAM65HR51DS1,S2,S3)
环保信息
()
特色产品
1(Power Integrated Modules)
PCN 设计/规格
1(Improve FAB Process Variation 16/Feb/2023)
PCN 封装
1(Tube Design Change 11/Nov/2022)
HTML 规格书
1(FAM65HR51DS1,S2,S3)
价格
-
替代型号
-