English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFR3711TRLPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFR3711TRLPBF
摘要
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2980 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），120W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRFR3711TRLPBF-448
SP001578136
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFR3711TRLPBF
相关文档
规格书
1(IRFR3711PbF, IRFU3711PbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
()
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 9/Apr/2020)
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFR3711PbF, IRFU3711PbF)
EDA 模型
1(IRFR3711TRLPBF by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : IPD50N03S207ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥9.56586
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥9.56586
替代类型. : 类似
型号 : IRFR3711ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,142
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 类似
库存 : 6,142
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 类似