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元器件型号详细信息
原厂型号
FS35R12W1T4BOMA1
摘要
IGBT MOD 1200V 65A 225W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 65 A 225 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
24
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
65 A
功率 - 最大值
225 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.25V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FS35R12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FS35R12W1T4
448-FS35R12W1T4BOMA1
SP000261235
FS35R12W1T4-ND
FS35R12W1T4BOMA1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FS35R12W1T4BOMA1
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规格书
1(FS35R12W1T4)
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PCN 组装/来源
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PCN 封装
1(Easy Solder Pkg Chg 14/May/2018)
HTML 规格书
1(FS35R12W1T4)
EDA 模型
1(FS35R12W1T4BOMA1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 240
单价: $293.47229
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
数量: 96
单价: $303.95375
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
数量: 24
单价: $335.39625
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $375.24
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
-