元器件型号详细信息

原厂型号
PMPB10UPX
摘要
MOSFET P-CH 12V 10A DFN2020MD-6
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 10A(Ta) 1.7W(Ta),13mW(Tc) DFN2020MD-6
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11.5 毫欧 @ 10A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2200 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta),13mW(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN2020MD-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
基本产品编号
PMPB10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

1727-PMPB10UPXCT
1727-PMPB10UPXTR
1727-PMPB10UPXDKR
934661017115

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. PMPB10UPX

相关文档

规格书
1(PMPB10UP)
视频文件
1(Quick Learning: Increasing thermal capability in Small signal MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev Eol 26/Dec/2020)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022)
PCN 封装
1(All Dev Label Chgs 2/Aug/2020)
HTML 规格书
1(PMPB10UP)

价格

-

替代型号

型号 : PMPB08R4VPX
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 5,730
单价. : ¥4.21000
替代类型. : 直接