元器件型号详细信息

原厂型号
IPD50N03S207ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD50

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP000254462
INFINFIPD50N03S207ATMA1
2156-IPD50N03S207ATMA1
IPD50N03S2-07
IPD50N03S207ATMA1TR
IPD50N03S2-07-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD50N03S207ATMA1

相关文档

规格书
1(IPD50N03S2-07)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Wafer Test Add 27/Apr/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IPD50N03S2-07)
仿真模型
1(OptimOS Spice Model)

价格

数量: 5000
单价: $9.21157
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $9.56586
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500

替代型号

型号 : IRFR3711ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,386
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 类似
型号 : IRLR8726TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 13,390
单价. : ¥5.09000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR3709ZTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,997
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 类似
型号 : IRLR3114ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,947
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR3709ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,910
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似
型号 : TSM060N03CP ROG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 10
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似
型号 : SUD50N03-06AP-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5,432
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似