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20250712
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IGD01N120H2BUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGD01N120H2BUMA1
摘要
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
详情
IGBT 1200 V 3.2 A 28 W 表面贴装型 PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
3.2 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
3.5 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V,1A
功率 - 最大值
28 W
开关能量
140µJ
输入类型
标准
栅极电荷
8.6 nC
25°C 时 Td(开/关)值
13ns/370ns
测试条件
800V,1A,241 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
基本产品编号
IGD01
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IGD01N120H2
IGD01N120H2BUMA1TR
SP000014523
2156-IGD01N120H2BUMA1
IGD01N120H2-ND
IFEINFIGD01N120H2BUMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IGD01N120H2BUMA1
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1(IGD01N120H2)
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HTML 规格书
1(IGD01N120H2)
价格
数量: 2500
单价: $6.79895
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
替代型号
型号 : HGTD1N120BNS9A
制造商 : onsemi
库存 : 12,469
单价. : ¥13.36000
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