元器件型号详细信息

原厂型号
MGSF1N03LT1G
摘要
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
100 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
420mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
MGSF1

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

MGSF1N03LT1GOSTR
MGSF1N03LT1GOSDKR
Q7682945Z
2156-MGSF1N03LT1G-OS
ONSONSMGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1GOS
MGSF1N03LT1GOSCT
MGSF1N03LT1GOS-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi MGSF1N03LT1G

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规格书
1(MGSF1N03L, MVGSF1N03L)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mold Compound 07/Sep/2019)
HTML 规格书
1(MGSF1N03L, MVGSF1N03L)
EDA 模型
1(MGSF1N03LT1G by Ultra Librarian)

价格

数量: 30000
单价: $1.12503
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.18655
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $1.27444
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1

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