FDS4435BZ-F085

元器件型号详细信息

原厂型号

FDS4435BZ-F085

摘要

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

详情

表面贴装型 P 通道 30 V 8.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

8.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

20 毫欧 @ 8.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

40 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1845 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOIC

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

基本产品编号

FDS4435

其它名称

FDS4435BZ-F085TR

FDS4435BZ_F085DKR

FDS4435BZ_F085

FDS4435BZ_F085CT

FDS4435BZ-F085CT

FDS4435BZ_F085-ND

FDS4435BZ_F085CT-ND

FDS4435BZ_F085TR-ND

FDS4435BZ-F085DKR

FDS4435BZ_F085DKR-ND

FDS4435BZ_F085TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDS4435BZ-F085

价格

-

替代型号

型号 : NVTFS012P03P8Z

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : MFR Recommended

型号 : FDS4435BZ

制造商 : onsemi
库存 : 54,147
单价. : ¥5.72000
替代类型. : 参数等效

型号 : DMP3036SSS-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 7,871
单价. : ¥6.12000
替代类型. : 类似

型号 : RS3E075ATTB

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 9,228
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似

型号 : SI4835DDY-T1-E3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,121
单价. : ¥9.78000
替代类型. : 类似

型号 : AO4419

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 29,817
单价. : ¥5.56000
替代类型. : 类似

型号 : SI4835DDY-T1-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6,500
单价. : ¥9.78000
替代类型. : 类似

DW-32-09-T-S-200 HDWM-11-59-S-S-465-SM OM7808/BGU7003W/FM 712-41-107-41-001000 RLR20C5362FRBSL

FDS4435BZ-F085

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