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GermanyDMG2302UQ-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG2302UQ-13
摘要
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 4.2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
594.3 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMG2302
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-772-DMG2302UQ-13DKR
31-DMG2302UQ-13CT
-DMG2302UQ-13DICT-ND
31-DMG2302UQ-13DKR
DMG2302UQ-13DI
DMG2302UQ-13DI-ND
-DMG2302UQ-13DITR-ND
-DMG2302UQ-13DICT
31-DMG2302UQ-13TR
-772-DMG2302UQ-13CT
-DMG2302UQ-13DITR
-772-DMG2302UQ-13TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMG2302UQ-13
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规格书
1(DMG2302UQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
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