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元器件型号详细信息
原厂型号
IPDQ60R010S7AXTMA1
摘要
AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 50A（Tc） 694W（Tc） PG-HDSOP-22-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
750
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 50A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
318 nC @ 12 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11987 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
694W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-1
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块
基本产品编号
IPDQ60R
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP002063384
448-IPDQ60R010S7AXTMA1DKR
448-IPDQ60R010S7AXTMA1TR
448-IPDQ60R010S7AXTMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPDQ60R010S7AXTMA1
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