元器件型号详细信息

原厂型号
FS150R12KE3GBOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 200A 695W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 200 A 695 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
EconoPACK™+
包装
托盘
产品状态
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
200 A
功率 - 最大值
695 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值)
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
10.5 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FS150R12

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-FS150R12KE3GBOSA1
SP000100403
INFINFFS150R12KE3GBOSA1
FS150R12KE3G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FS150R12KE3GBOSA1

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规格书
1(FS150R12KE3G)
HTML 规格书
1(FS150R12KE3G)

价格

数量: 4
单价: $4192.73
包装: 托盘
最小包装数量: 4

替代型号

型号 : FS150R12KT3BOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1
单价. : ¥2,522.48000
替代类型. : 类似