元器件型号详细信息

原厂型号
NTD4302T4G
摘要
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 8.4A(Ta),68A(Tc) 1.04W(Ta),75W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.4A(Ta),68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
80 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 24 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.04W(Ta),75W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NTD4302

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NTD4302T4GOSCT
NTD4302T4GOS-ND
NTD4302T4GOSTR
NTD4302T4GOS
=NTD4302T4GOSCT-ND
NTD4302T4GOSDKR
2156-NTD4302T4G-OS
ONSONSNTD4302T4G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTD4302T4G

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规格书
1(NTD4302)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 组装/来源
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HTML 规格书
1(NTD4302)

价格

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