SI4425FDY-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SI4425FDY-T1-GE3

摘要

MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC

详情

表面贴装型 P 通道 30 V 12.7A（Ta），18.3A（Tc） 2.3W（Ta），4.8W（Tc） 8-SOIC

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

32 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

12.7A（Ta），18.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9.5 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

+16V，-20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1620 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.3W（Ta），4.8W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOIC

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

基本产品编号

SI4425

其它名称

SI4425FDY-T1-GE3TR

SI4425FDY-T1-GE3DKR

SI4425FDY-T1-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI4425FDY-T1-GE3

价格

数量: 25000

单价: $1.91687
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 12500

单价: $1.96732
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

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数量: 500

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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

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最小包装数量: 1

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最小包装数量: 1

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