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GermanyUS6M2GTR
元器件型号详细信息
原厂型号
US6M2GTR
摘要
2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN
详情
MOSFET - 阵列 30V，20V 1.5A，1A 1W 表面贴装型 TUMT6
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A，1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
240 毫欧 @ 1.5A，4.5V，390 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA，2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.2nC @ 4.5V，2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
80pF @ 10V，150pF @ 10V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
TUMT6
基本产品编号
US6M2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
US6M2GDKR
US6M2GCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor US6M2GTR
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规格书
1(US6M2)
HTML 规格书
1(US6M2)
EDA 模型
1(US6M2GTR by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $2.06965
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 1000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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