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GermanySI1902DL-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI1902DL-T1-GE3
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
详情
MOSFET - 阵列 20V 660mA 270mW 表面贴装型 SC-70-6
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
660mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
385 毫欧 @ 660mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
270mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-70-6
基本产品编号
SI1902
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SI1902DL-T1-GE3CT
SI1902DL-T1-GE3DKR
SI1902DLT1GE3
SI1902DL-T1-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI1902DL-T1-GE3
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1(SI1902DL)
环保信息
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HTML 规格书
1(SI1902DL)
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价格
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