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GermanyIPI50N10S3L16AKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPI50N10S3L16AKSA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
详情
通孔 N 通道 100 V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.7 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4180 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IPI50N10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPI50N10S3L-16-ND
SP000407120
INFINFIPI50N10S3L16AKSA1
2156-IPI50N10S3L16AKSA1
IPI50N10S3L-16
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPI50N10S3L16AKSA1
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规格书
1(IPx50N10S3L-16)
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特色产品
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PCN 组装/来源
1(Wafer Test Add 27/Apr/2017)
HTML 规格书
1(IPx50N10S3L-16)
仿真模型
1(OptiMOS-T-100V-Spice Model)
价格
数量: 500
单价: $13.19186
包装: 管件
最小包装数量: 500
包装: 管件
最小包装数量: 500
替代型号
型号 : IRF540ZLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 867
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似
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