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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH3707TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta），29A（Tc） 2.8W（Ta） 8-PQFN（3x3）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
24 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.4 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
755 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（3x3）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
IRFH3707
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFH3707TRPBFCT
SP001551876
IRFH3707TRPBF-ND
IRFH3707TRPBFDKR
IRFH3707TRPBFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH3707TRPBF
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1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
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1(Mult Mosfet Test/Fab Add 9/Oct/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFH3707PBF)
EDA 模型
1(IRFH3707TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRFH3707TR2PBF Saber Model)
价格
数量: 28000
单价: $1.2266
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