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GermanyIPD068N10N3GBTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD068N10N3GBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.8 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4910 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD068N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
IPD068N10N3GBTMA1TR
SP000469892
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD068N10N3GBTMA1
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1(IPD068N10N3 G)
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1(Data Processing Systems)
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1(Mult Dev EOL 20/Oct/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IPD068N10N3 G)
价格
-
替代型号
型号 : IPD068N10N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 13,611
单价. : ¥21.86000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥21.86000
替代类型. : 参数等效
型号 : STD110N8F6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥13.83000
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型号 : TK55S10N1,LQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 6,874
单价. : ¥23.61000
替代类型. : 类似
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型号 : STD100N10F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 27,552
单价. : ¥22.90000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似