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元器件型号详细信息
原厂型号
NVBG020N120SC1
摘要
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 8.6A（Ta），98A（Tc） 3.7W（Ta），468W（Tc） D2PAK-7
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
44 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.6A（Ta），98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28毫欧 @ 60A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
220 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2943 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），468W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
NVBG020
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVBG020N120SC1
相关文档
规格书
1(NVBG020N120SC1)
视频文件
1(M3S 1200V SiC MOSFETs | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(Silicon Carbide (SiC) MOSFETs)
PCN 组装/来源
1(NTBG0x/NVBG0x 14/Dec/2022)
PCN 封装
1(PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021)
HTML 规格书
1(NVBG020N120SC1)
EDA 模型
1(NVBG020N120SC1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 800
单价: $367.10159
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $392.5163
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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