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GermanySPD01N60C3BTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPD01N60C3BTMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 800MA TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
11W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
SPD01N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPD01N60C3INCT
SPD01N60C3INCT-ND
SPD01N60C3INDKR-ND
SPD01N60C3BTMA1TR
SPD01N60C3-ND
SP000307382
SP000012114
SPD01N60C3BTMA1DKR
ROCINFSPD01N60C3BTMA1
SPD01N60C3INTR
SPD01N60C3INTR-ND
SPD01N60C3INDKR
2156-SPD01N60C3BTMA1
SPD01N60C3XT
SPD01N60C3BTMA1CT
SPD01N60C3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPD01N60C3BTMA1
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价格
-
替代型号
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替代类型. : 直接
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库存 : 1,617
单价. : ¥12.64000
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库存 : 2,490
单价. : ¥7.15000
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