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GermanyNTMFS4C09NAT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMFS4C09NAT1G
摘要
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 9A（Ta），52A（Tc） 760mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta），52A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.9 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1252 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
760mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线
基本产品编号
NTMFS4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTMFS4C09NAT1G-ND
ONSONSNTMFS4C09NAT1G
488-NTMFS4C09NAT1GDKR
488-NTMFS4C09NAT1GTR
488-NTMFS4C09NAT1GCT
2156-NTMFS4C09NAT1G-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTMFS4C09NAT1G
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环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 17/Oct/2022)
HTML 规格书
1(Computing Solutions)
价格
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包装: 卷带（TR）
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替代型号
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