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Germany2SJ665-DL-1EX
元器件型号详细信息
原厂型号
2SJ665-DL-1EX
摘要
MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
详情
表面贴装型 P 通道 100 V 27A（Ta） 65W（Tc） TO-263-2
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
77 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4200 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
65W（Tc）
工作温度
150°C（TA）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
2SJ665
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-2SJ665-DL-1EX-ON
ONSONS2SJ665-DL-1EX
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi 2SJ665-DL-1EX
相关文档
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(EOL 21/Apr/2016)
HTML 规格书
1(2SJ665)
价格
-
替代型号
型号 : FQB34P10TM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥24.25000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥24.25000
替代类型. : 直接