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GermanyF423MR12W1M1B11BOMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
F423MR12W1M1B11BOMA1
摘要
LOW POWER EASY
详情
IGBT 模块 沟道 全桥 1200 V 50 A 20 mW 底座安装 AG-EASY1BM-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
24
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
EasyPACK™
包装
托盘
Product Status
停产
IGBT 类型
沟道
配置
全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
功率 - 最大值
20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
-
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.68 nF @ 800 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-EASY1BM-2
基本产品编号
F423MR12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-F423MR12W1M1B11BOMA1
SP001710600
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies F423MR12W1M1B11BOMA1
相关文档
规格书
1(F4-23MR12W1M1_B11)
特色产品
1(Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 25/Aug/2021)
EDA 模型
()
价格
数量: 1
单价: $1229.32
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
-