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GermanyNAND01GR3B2CZA6E
元器件型号详细信息
原厂型号
NAND01GR3B2CZA6E
摘要
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
详情
闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb 并联 25 ns 63-VFBGA（9.5x12）
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,260
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
托盘
Product Status
停产
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
闪存 - NAND
存储容量
1Gb
存储器组织
128M x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
25ns
访问时间
25 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
63-TFBGA
供应商器件封装
63-VFBGA（9.5x12）
基本产品编号
NAND01
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. NAND01GR3B2CZA6E
相关文档
规格书
1(NAND01G-B2B, NAND02G-B2C)
HTML 规格书
1(NAND01G-B2B, NAND02G-B2C)
EDA 模型
1(NAND01GR3B2CZA6E by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : S34MS01G104BHI010
制造商 : Cypress Semiconductor Corp
库存 : 375
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似
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