元器件型号详细信息

原厂型号
FDS8876
摘要
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.2 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1650 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
FDS88

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDS8876DKR
FDS8876TR
FDS8876CT
FDS8876-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDS8876

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1(FDS8876)
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1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
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1(Mult Dev EOL 7/Jul/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Sourcing Chg 21/Mar/2018)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDS8876)

价格

-

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