English
Spain
Rusia
Italy
GermanySQS401ENW-T1_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQS401ENW-T1_GE3
摘要
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
详情
表面贴装型 P 通道 40 V 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8W
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1875 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8W
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8W
基本产品编号
SQS401
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQS401ENW-T1_GE3DKR
SQS401ENW-T1_GE3TR
SQS401ENW-T1_GE3CT
SQS401ENW-T1_GE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQS401ENW-T1_GE3
相关文档
规格书
1(SQS401ENW)
PCN 产品变更/停产
1(SQS401ENW 20/May/2021)
HTML 规格书
1(SQS401ENW)
价格
-
替代型号
型号 : SQS411ENW-T1_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 直接
型号 : SQS401EN-T1_BE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 57,861
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 参数等效
库存 : 57,861
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 参数等效