English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBA12004BF-E2
元器件型号详细信息
原厂型号
BA12004BF-E2
摘要
TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 7 NPN 达林顿 60V 500mA 620mW 表面贴装型 16-SOP
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
1.6V @ 500µA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
1000 @ 350mA，2V
功率 - 最大值
620mW
频率 - 跃迁
-
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
16-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
16-SOP
基本产品编号
BA12004
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BA12004BF-E2DKR
BA12004BF-E2CT
BA12004BF-E2TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Rohm Semiconductor BA12004BF-E2
相关文档
规格书
1(BA12003B(F), BA12004B(F))
其他相关文档
1(BA12004BF-E2 Flammability)
环保信息
1(BA12004BF-E2 Whisker Info)
PCN 产品变更/停产
()
价格
-
替代型号
型号 : TBD62004APG
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 1,067
单价. : ¥9.14000
替代类型. : 类似
库存 : 1,067
单价. : ¥9.14000
替代类型. : 类似