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GermanyIXTA1R6N100D2
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTA1R6N100D2
摘要
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 1000 V 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263AA
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
61 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
Depletion
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 欧姆 @ 800mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
645 pF @ 25 V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263AA
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IXTA1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTA1R6N100D2
相关文档
规格书
1(IXT(Y,A,P)1R6N100D2)
特色产品
1(Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs)
HTML 规格书
1(IXT(Y,A,P)1R6N100D2)
价格
数量: 5000
单价: $12.40918
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $12.89391
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $13.57255
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $16.09314
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $18.9049
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $23.071
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $25.68
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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