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Germany2SK3816-DL-1E
元器件型号详细信息
原厂型号
2SK3816-DL-1E
摘要
MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 40A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1780 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.65W（Ta），50W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
2SK3816
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-2SK3816-DL-1E
ONSONS2SK3816-DL-1E
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi 2SK3816-DL-1E
相关文档
规格书
1(2SK3816)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 28/Apr/2017)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Site Change 14/Oct/2015)
EDA 模型
1(2SK3816-DL-1E by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : HUF76429S3ST
制造商 : onsemi
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