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GermanyBSH112,235
元器件型号详细信息
原厂型号
BSH112,235
摘要
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 300mA（Ta） 830mW（Tc） SOT-23（TO-236AB）
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830mW（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23（TO-236AB）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
BSH1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-BSH112,235
934056035235
BSH112235
NEXNXPBSH112,235
568-1768-2
568-1768-1
BSH112 /T3
954-BSH112235
568-1768-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. BSH112,235
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环保信息
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PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
替代型号
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型号 : 2N7002E-T1-E3
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型号 : MMBF170LT1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
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型号 : MMBF170-7-F
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型号 : 2N7002K
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型号 : 2N7002L
制造商 : onsemi
库存 : 161,461
单价. : ¥2.07000
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库存 : 4,885
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型号 : 2N7002A-7
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