元器件型号详细信息

原厂型号
STP6N60M2
摘要
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220
详情
通孔 N 通道 600 V 4.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II Plus
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 欧姆 @ 2.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
232 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP6N60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

STP6N60M2-ND
-497-13974-5
497-13974-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STP6N60M2

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规格书
1(STx6N60M2)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
特色产品
1(MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018)
HTML 规格书
1(STx6N60M2)
EDA 模型
1(STP6N60M2 by Ultra Librarian)

价格

数量: 10000
单价: $5.14039
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $5.34119
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $5.62229
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.845
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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