IPD65R380E6ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD65R380E6ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ E6

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

380 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 320µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

39 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

710 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD65R380

其它名称

448-IPD65R380E6ATMA1CT

SP001117736

448-IPD65R380E6ATMA1DKR

IPD65R380E6ATMA1-ND

448-IPD65R380E6ATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD65R380E6ATMA1

价格

数量: 5000

单价: $7.98863
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $8.2959
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $8.91037
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $10.75388
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $13.089
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $16.281
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $18.13
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $8.91037
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $10.75388
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $13.089
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $16.281
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $18.13
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STD15N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥40.15000
替代类型. : 类似

型号 : STD16N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥15.90000
替代类型. : 类似

RNCF0805BTC51R1 RN73H1JTTD4810D25 CMR06F162JPDP MSPB-7-F AMF-3F-12201280-11-8P

IPD65R380E6ATMA1

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