English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFL4310PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFL4310PBF
摘要
MOSFET N-CH 100V SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 2.2A（Ta） 1W（Ta）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
-
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
648037PBF
64-8037PBFTR
SP001562536
IRFL4310PBFINACTIVE
2156-IRFL4310PBF-ITTR
IRFL4310PBFCT
SP001578066
INFINFIRFL4310PBF
64-8037PBF
64-8037PBF-ND
IRFL4310PBFTR
IRFL4310PBF-ND
*IRFL4310PBF
64-8037PBFCT-ND
64-8037PBFTR-ND
64-8037PBFCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFL4310PBF
相关文档
规格书
1(IRFL4310PbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRFL4310TR Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
()
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRFL4310PbF)
仿真模型
1(IRFL4310 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : DMN10H220LE-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 182
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似
库存 : 182
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似
型号 : STN2NF10
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,168
单价. : ¥9.70000
替代类型. : 类似
库存 : 5,168
单价. : ¥9.70000
替代类型. : 类似
型号 : FDT1600N10ALZ
制造商 : onsemi
库存 : 2,871
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似
库存 : 2,871
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似
型号 : BUK98180-100A/CUX
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 21,278
单价. : ¥5.01000
替代类型. : 类似
库存 : 21,278
单价. : ¥5.01000
替代类型. : 类似