English
Spain
Rusia
Italy
GermanySIHB12N65E-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHB12N65E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 12A（Tc） 156W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1224 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SIHB12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHB12N65E-GE3TR
SIHB12N65E-GE3TRINACTIVE
SIHB12N65E-GE3DKR-ND
SIHB12N65E-GE3DKR
SIHB12N65E-GE3DKRINACTIVE
SIHB12N65E-GE3CT-ND
SIHB12N65E-GE3TR-ND
SIHB12N65E-GE3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3
相关文档
规格书
()
PCN 组装/来源
1(Additional Assembly Site 21/Oct/2016)
HTML 规格书
()
价格
数量: 5000
单价: $10.27539
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $10.6706
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $11.46106
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $13.8322
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.8355
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $20.948
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $23.29
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-