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GermanyIRLML6402TRPBF-1
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLML6402TRPBF-1
摘要
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3™/SOT-23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
633 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001568924
448-IRLML6402TRPBF-1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLML6402TRPBF-1
相关文档
规格书
1(IRLML6402PbF-1)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 3/Jun/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022)
HTML 规格书
1(IRLML6402PbF-1)
价格
-
替代型号
型号 : IRLML6402TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥3.97000
替代类型. : 直接
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型号 : PMV50XPR
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