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GermanyMT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
元器件型号详细信息
原厂型号
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
摘要
IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGA
详情
FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2 存储器 IC 2Gb（NAND），1Gb（LPDDR2） 并联 533 MHz 162-VFBGA（10.5x8）
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
存储器类型
非易失性，易失性
存储器格式
FLASH，RAM
技术
FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
存储容量
2Gb（NAND），1Gb（LPDDR2）
存储器组织
256M x 8（NAND），32M x 32（LPDDR2）
存储器接口
并联
时钟频率
533 MHz
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
1.8V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
162-VFBGA
供应商器件封装
162-VFBGA（10.5x8）
基本产品编号
MT29RZ2B1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
557-1887-6
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR-ND
557-1887-2
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83GTR-ND
557-1887-1
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83GTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
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