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GermanySCT3080ALGC11
元器件型号详细信息
原厂型号
SCT3080ALGC11
摘要
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
详情
通孔 N 通道 650 V 30A（Tc） 134W（Tc） TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
104 毫欧 @ 10A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
571 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
134W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247N
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCT3080
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor SCT3080ALGC11
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仿真模型
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价格
数量: 1000
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