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GermanyNVD5803NT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVD5803NT4G
摘要
MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 85A（Tc） 83W（Tc） DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3220 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
NVD580
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVD5803NT4GOSCT
SVD5803NT4GOSCT-ND
2832-NVD5803NT4GTR
SVD5803NT4GOSCT
NVD5803NT4GOSTR
SVD5803NT4G-ND
NVD5803NT4G-ND
NVD5803NT4GOSDKR
SVD5803NT4GOSDKR
SVD5803NT4G
SVD5803NT4GOSTR-ND
SVD5803NT4GOSDKR-ND
2832-NVD5803NT4G-488
SVD5803NT4GOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVD5803NT4G
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规格书
1(NVD5803N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(NVD5803NT4G 02/Sep/2016)
EDA 模型
1(NVD5803NT4G by Ultra Librarian)
价格
-
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