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GermanyPSMN3R0-60ES,127
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN3R0-60ES,127
摘要
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
详情
通孔 N 通道 60 V 100A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8079 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
306W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-PSMN3R0-60ES,127-1727
568-6906-5-ND
PSMN3R060ES127
1727-5437
568-6906-5
934064562127
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN3R0-60ES,127
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HTML 规格书
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价格
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