IPB048N06LGATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB048N06LGATMA1

摘要

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.4 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 270µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

225 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

7600 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB048N

其它名称

IPB048N06LGINTR

IPB048N06LGATMA1TR

IPB048N06LGINTR-ND

SP000204181

IPB048N06LGATMA1DKR

IPB048N06LGINDKR-ND

IPB048N06LG

IPB048N06L G

IPB048N06LGINDKR

IPB048N06LGATMA1CT

IPB048N06LGINCT

IPB048N06LGINCT-ND

IPB048N06L G-ND

IPB048N06LGXT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB048N06LGATMA1

价格

-

替代型号

型号 : STB130N6F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥17.57000
替代类型. : 类似

型号 : STB160N75F3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥45.63000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN004-60B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 5,462
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN4R6-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似

型号 : BUK764R0-55B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,510
单价. : ¥24.64000
替代类型. : 类似

型号 : STB100N6F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥15.26000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN005-75B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,800
单价. : ¥22.74000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA200N055T2

制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似

型号 : FDB050AN06A0

制造商 : onsemi
库存 : 914
单价. : ¥20.99000
替代类型. : 类似

SPH50SP2240SNG 76382-310LF SYS0218A05AC-D 7106-S 8-2151648-6

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