BSP149H6327XTSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

BSP149H6327XTSA1

摘要

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

详情

表面贴装型 N 通道 200 V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

660mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

0V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.8 欧姆 @ 660mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 400µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

14 nC @ 5 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

430 pF @ 25 V

FET 功能

耗尽模式

功率耗散（最大值）

1.8W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT223-4

封装/外壳

TO-261-4，TO-261AA

基本产品编号

BSP149

其它名称

SP001058818

BSP149H6327XTSA1CT

BSP149H6327XTSA1DKR

BSP149H6327XTSA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1

价格

数量: 10000

单价: $4.42773
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 5000

单价: $4.60069
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $4.84284
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $5.18874
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $6.57234
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.9563
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $10.208
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $11.45
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.57234
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.9563
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $10.208
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $11.45
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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KGM15AR71C103KM B43305A9107M60 JCY-350E ESQT-122-02-L-D-500 SIT9120AI-1B3-33E50.000000

BSP149H6327XTSA1

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