元器件型号详细信息

原厂型号
IPB160N04S4H1ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
137 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10920 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
167W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-3
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
基本产品编号
IPB160

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IFEINFIPB160N04S4H1ATMA1
IPB160N04S4H1ATMA1DKR
IPB160N04S4H1ATMA1TR
IPB160N04S4H1ATMA1CT
2156-IPB160N04S4H1ATMA1
SP000711252

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB160N04S4H1ATMA1

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HTML 规格书
1(IPB160N04S4-H1)
仿真模型
1(OptiMOS-T2-40V-Spice Model)

价格

数量: 5000
单价: $13.10796
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $13.61997
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $14.33685
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $20.9202
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
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最小包装数量: 1

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