元器件型号详细信息

原厂型号
BAS321/ZLF
摘要
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
详情
二极管 200 V 250mA 表面贴装型 SOD-323
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
200 V
电流 - 平均整流 (Io)
250mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25 V @ 200 mA
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容
2pF @ 0V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-76,SOD-323
供应商器件封装
SOD-323
工作温度 - 结
150°C(最大)
基本产品编号
BAS32

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/NXP USA Inc. BAS321/ZLF

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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(EOL 02/Dec/2016)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)

价格

-

替代型号

型号 : BAS321,135
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 9,958
单价. : ¥1.51000
替代类型. : 类似
型号 : BAV21WS-HE3-18
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 209,439
单价. : ¥2.46000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAS321,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 66,027
单价. : ¥1.51000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAV21WS-G3-08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 24,985
单价. : ¥2.46000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAS321/8F
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,840
单价. : ¥1.91000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAV21WS-G3-18
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥0.32519
替代类型. : 参数等效
型号 : BAV21WS-E3-08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 198,043
单价. : ¥2.38000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAV21WS-HE3-08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 15,944
单价. : ¥2.46000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAS321Z
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 29,900
单价. : ¥1.51000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAS2103WE6327HTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 349,637
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 参数等效
型号 : BAV21WS-E3-18
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 10,000
单价. : ¥2.38000
替代类型. : 参数等效