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GermanyPSMN010-55D,118
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN010-55D,118
摘要
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 75A（Tc） 125W（Tc） DPAK
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3300 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
PSMN0
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
PSMN010-55D /T3-ND
PSMN010-55D /T3
934055819118
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PSMN010-55D,118
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环保信息
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1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
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